MOSFET N STMicroelectronics 80 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 STripFET II

Brand

Type de canal

Type N

Type du produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

80A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Série

STripFET II

Type de Boitier

TO-263

Type de support

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

15mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.3V

Dissipation de puissance maximum Pd

300W

Température minimum de fonctionnemen

-60°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

135nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

UPC

Hauteur

4.6mm

Longueur

10.4mm

Standard automobile

No