MOSFET N STMicroelectronics 80 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 STripFET H7

Brand

Type du produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

80A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

TO-252

Série

STripFET H7

Type de montage

Surface

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum Rds

8mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température de fonctionnement minimum

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

61nC

Dissipation de puissance maximum Pd

120W

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

175°C

Taille

2.4mm

Longueur

6.6mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

No