Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Type de produit
MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
10A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
TO-252
Type de montage
En surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
420mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension maximale de source de la grille Vgs
25V
Tension directe Vf
1.6V
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
16.5nC
Température d'utilisation maximum
150°C
Normes/homologations
EN131 Professional
Largeur
6.2mm
Longueur
6.6mm
Hauteur
2.17mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Ce transistor MOSFET de puissance à canal N haute tension fait partie de la série de diodes à récupération rapide MDmesh TM DM2. Il offre une très faible charge de récupération (QRR) et un temps (TRR) combinés à un faible RDS(on), ce qui le rend adapté pour les convertisseurs à haut rendement les plus exigeants et idéal pour les topologies de pont et les convertisseurs à décalage de phase ZVS.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 1 996,92
€ 0,799 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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Mode de canal
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25V
Tension directe Vf
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Dissipation de puissance maximum Pd
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Température minimum de fonctionnemen
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Charge de porte typique Qg @ Vgs
16.5nC
Température d'utilisation maximum
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Normes/homologations
EN131 Professional
Largeur
6.2mm
Longueur
6.6mm
Hauteur
2.17mm
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Ce transistor MOSFET de puissance à canal N haute tension fait partie de la série de diodes à récupération rapide MDmesh TM DM2. Il offre une très faible charge de récupération (QRR) et un temps (TRR) combinés à un faible RDS(on), ce qui le rend adapté pour les convertisseurs à haut rendement les plus exigeants et idéal pour les topologies de pont et les convertisseurs à décalage de phase ZVS.
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