Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
10A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
TO-252
Type de support
En surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
420mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
16.5nC
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
125°C
Longueur
6.6mm
Hauteur
2.17mm
Normes/homologations
UPC
Standard automobile
No
Détails du produit
Ce transistor MOSFET de puissance à canal N haute tension fait partie de la série de diodes à récupération rapide MDmesh TM DM2. Il offre une très faible charge de récupération (QRR) et un temps (TRR) combinés à un faible RDS(on), ce qui le rend adapté pour les convertisseurs à haut rendement les plus exigeants et idéal pour les topologies de pont et les convertisseurs à décalage de phase ZVS.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 1 995,73
€ 0,798 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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Mode de canal
Enrichissement
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Hauteur
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Ce transistor MOSFET de puissance à canal N haute tension fait partie de la série de diodes à récupération rapide MDmesh TM DM2. Il offre une très faible charge de récupération (QRR) et un temps (TRR) combinés à un faible RDS(on), ce qui le rend adapté pour les convertisseurs à haut rendement les plus exigeants et idéal pour les topologies de pont et les convertisseurs à décalage de phase ZVS.
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