Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
7A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
TO-252
Type de montage
En surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
680mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
85W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
100nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
25V
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Hauteur
2.17mm
Longueur
6.6mm
Normes/homologations
EN131 Professional
Largeur
6.2mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Ces dispositifs sont des transistors MOSFET de puissance à canal N développés à l'aide de la technologie MDmesh M2. Grâce à leur disposition de bande et à leur structure verticale améliorée, ces dispositifs présentent une faible résistance à l'état passant et des caractéristiques de commutation optimisées, ce qui les rend adaptés aux convertisseurs à haut rendement les plus exigeants.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 1 944,29
€ 0,778 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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Hauteur
2.17mm
Longueur
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Normes/homologations
EN131 Professional
Largeur
6.2mm
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Ces dispositifs sont des transistors MOSFET de puissance à canal N développés à l'aide de la technologie MDmesh M2. Grâce à leur disposition de bande et à leur structure verticale améliorée, ces dispositifs présentent une faible résistance à l'état passant et des caractéristiques de commutation optimisées, ce qui les rend adaptés aux convertisseurs à haut rendement les plus exigeants.
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