MOSFET N STMicroelectronics 10 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 MDmesh M2
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
10A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
TO-252
Série
MDmesh M2
Typ montáže
Surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
430mΩ
Mode de canal
Enhancement
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
17nC
Tension directe Vf
1.6V
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Maximální provozní teplota
60°C
Höhe
2.4mm
Longueur
6.6mm
Normes/homologations
No
Automobilový standard
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics
Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 7,64
€ 1,528 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Série
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Surface
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3
Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
Enhancement
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
17nC
Tension directe Vf
1.6V
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
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60°C
Höhe
2.4mm
Longueur
6.6mm
Normes/homologations
No
Automobilový standard
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics
Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).
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