Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
10A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
TO-252
Série
MDmesh M2
Type de montage
En surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
430mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Température de fonctionnement minimale
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
17nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Hauteur
2.4mm
Longueur
6.6mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 7,76
€ 1,552 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 7,76
€ 1,552 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
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Standard
5
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,552 | € 7,76 |
| 50 - 245 | € 1,365 | € 6,83 |
| 250 - 495 | € 1,22 | € 6,10 |
| 500+ | € 1,047 | € 5,24 |
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MOSFET
Type de canal
Type N
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10A
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650V
Type de Boitier
TO-252
Série
MDmesh M2
Type de montage
En surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
430mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Température de fonctionnement minimale
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
17nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
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Hauteur
2.4mm
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