MOSFET N STMicroelectronics 11 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 MDmesh II

Brand

Type du produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

11A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

TO-252

Série

MDmesh II

Type de support

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

0.36Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

27nC

Température minimum de fonctionnemen

-60°C

Tension directe Vf

1.5V

Température d'utilisation maximum

125°C

Longueur

10.1mm

Taille

2.4mm

Normes/homologations

UPC

Standard automobile

No

Pays d'origine

China