MOSFET N STMicroelectronics 11 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 MDmesh II
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
11A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-252
Séries
MDmesh II
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
0.36Ω
Mode de canal
Enhancement
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Température minimum d'utilisation
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
27nC
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
6.6 mm
Taille
2.4mm
Longueur
10.1mm
Normes/homologations
RoHS
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 11,85
€ 2,371 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Standard
5
€ 11,85
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Standard
5
| Quantité | Prix unitaire | Par Bande |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 2,371 | € 11,85 |
| 50 - 95 | € 2,251 | € 11,26 |
| 100 - 495 | € 2,083 | € 10,42 |
| 500 - 995 | € 1,92 | € 9,60 |
| 1000+ | € 1,853 | € 9,26 |
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MOSFET
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Type N
Courant continu de Drain maximum Id
11A
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600V
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TO-252
Séries
MDmesh II
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
Enhancement
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Température minimum d'utilisation
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
27nC
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
6.6 mm
Taille
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