Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
11A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-252
Série
FDmesh
Type de montage
En surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
380mΩ
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
24.5nC
Dissipation de puissance maximum Pd
109W
Température d'utilisation minimum
-55°C
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
6.6mm
Hauteur
2.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 30,63
€ 2,643 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
€ 30,63
€ 2,643 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
10
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 50 - 120 | € 2,643 | € 13,21 |
| 125+ | € 2,125 | € 10,63 |
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TO-252
Série
FDmesh
Type de montage
En surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
380mΩ
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
24.5nC
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109W
Température d'utilisation minimum
-55°C
Tension directe Vf
1.6V
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No
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