Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
12A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-252
Type de montage
En surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
338mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
15.3nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
25V
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Hauteur
2.4mm
Longueur
6.6mm
Normes/homologations
EN131 Professional
Largeur
6.2mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Le transistor MOSFET de puissance à canal N haute tension STMicroelectronics fait partie de la série de diodes à récupération rapide Mesh DM6. Par rapport à la génération rapide Mesh précédente, le DM6 combine une très faible charge de récupération (QRR), un temps de récupération (TRR) et une excellente amélioration du RDS(on) par zone avec l'un des comportements de commutation les plus efficaces disponibles sur le marché pour les topologies de pont à haut rendement les plus exigeantes et les convertisseurs à décalage de phase ZVS.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 2 426,71
€ 0,971 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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2500
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Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
12A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-252
Type de montage
En surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
338mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
15.3nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
25V
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Hauteur
2.4mm
Longueur
6.6mm
Normes/homologations
EN131 Professional
Largeur
6.2mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Le transistor MOSFET de puissance à canal N haute tension STMicroelectronics fait partie de la série de diodes à récupération rapide Mesh DM6. Par rapport à la génération rapide Mesh précédente, le DM6 combine une très faible charge de récupération (QRR), un temps de récupération (TRR) et une excellente amélioration du RDS(on) par zone avec l'un des comportements de commutation les plus efficaces disponibles sur le marché pour les topologies de pont à haut rendement les plus exigeantes et les convertisseurs à décalage de phase ZVS.