Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Type du produit
MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
12A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Série
MDmesh M2
Type de Boitier
TO-252
Type de montage
En surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
320mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension maximale de source de la grille Vgs
-25, +25V
Tension directe Vf
1.6V
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
19nC
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Température d'utilisation maximum
150°C
Normes/homologations
EN131 Professional
Largeur
6.2mm
Longueur
6.6mm
Hauteur
2.4mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 2 233,74
€ 0,893 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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Série
MDmesh M2
Type de Boitier
TO-252
Type de montage
En surface
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3
Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
Enrichissement
Tension maximale de source de la grille Vgs
-25, +25V
Tension directe Vf
1.6V
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
19nC
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Température d'utilisation maximum
150°C
Normes/homologations
EN131 Professional
Largeur
6.2mm
Longueur
6.6mm
Hauteur
2.4mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
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