MOSFET STMicroelectronics canal N, DPAK (TO-252) 12 A 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
12 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Série
MDmesh M2
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
320 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
110000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Largeur
6.2mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.6mm
Charge de Grille type @ Vgs
19 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Hauteur
2.4mm
Tension directe de la diode
1.6V
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics
Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 5,53
€ 1,105 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
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110000 mW
Configuration du transistor
Single
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-25 V, +25 V
Largeur
6.2mm
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1
Longueur
6.6mm
Charge de Grille type @ Vgs
19 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Hauteur
2.4mm
Tension directe de la diode
1.6V
Pays d'origine
China
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Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics
Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).
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