MOSFET canal Type N STMicroelectronics 15 A 710 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 MDmesh M5 Non
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
Type N
Type de produit
MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
15A
Tension Drain Source maximum Vds
710V
Séries
MDmesh M5
Type de Boitier
TO-252
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
220mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
1.5V
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
31nC
Température d'utilisation maximum
150°C
Normes/homologations
No
Largeur
6.2 mm
Taille
2.4mm
Longueur
6.6mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M5, STMicroelectronics
Les transistors de puissance MOSFET MDmesh M5 sont optimisés pour les topologies PFC et PWM haute puissance. Les principales caractéristiques incluent une zone de faible perte à l'état passant par silicone combinée à une faible charge de grille. Ils sont conçus pour les applications de commutation difficile éco-énergétiques, compactes et fiables, telles que les convertisseurs d'énergie solaire, les alimentations pour les produits de consommation et les commandes d'éclairage électronique.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 11,91
€ 2,381 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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MOSFET
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Séries
MDmesh M5
Type de Boitier
TO-252
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
220mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
1.5V
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
31nC
Température d'utilisation maximum
150°C
Normes/homologations
No
Largeur
6.2 mm
Taille
2.4mm
Longueur
6.6mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M5, STMicroelectronics
Les transistors de puissance MOSFET MDmesh M5 sont optimisés pour les topologies PFC et PWM haute puissance. Les principales caractéristiques incluent une zone de faible perte à l'état passant par silicone combinée à une faible charge de grille. Ils sont conçus pour les applications de commutation difficile éco-énergétiques, compactes et fiables, telles que les convertisseurs d'énergie solaire, les alimentations pour les produits de consommation et les commandes d'éclairage électronique.
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