MOSFET canal N STMicroelectronics 1 A 600 V Enrichissement, 3 broches, IPAK MDmesh, SuperMESH

Brand

Type du produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

1A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Série

MDmesh, SuperMESH

Type de Boitier

IPAK

Type de montage

Through Hole

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

8.5Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

7nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-30, +30V

Tension directe Vf

1.6V

Dissipation de puissance maximum Pd

30W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

6.6mm

Largeur

6.2mm

Normes/homologations

EN131 Professional

Hauteur

2.4mm

Standard automobile

No