Transistor MOSFET STMicroelectronics canal N, D-PAK 18 A 200 V, 3 broches

Brand

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

18 A

Tension Drain Source maximum

200 V

Type de boîtier

D-PAK

Type de fixation

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

125 mΩ

Mode de canal

Enhancement

Dissipation de puissance maximum

90 W

Tension Grille Source maximum

±20 V

Charge de Grille type @ Vgs

28 nC V @ 10

Nombre d'éléments par circuit

1

Température maximale d'utilisation

150 °C

Longueur

6.6mm

Largeur

6.2mm

Température de fonctionnement minimum

-50 °C

Hauteur

2.4mm