Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
18A
Tension Drain Source maximum Vds
200V
Type de Boitier
TO-252
Série
STripFET
Type de montage
En surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
125mΩ
Mode de canal
Enhancement
Tension directe Vf
1.6V
Charge de porte typique Qg @ Vgs
28nC
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Température minimum d'utilisation
-55°C
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
6.6mm
Hauteur
2.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 17,36
€ 1,527 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
€ 17,36
€ 1,527 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
10
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 50 - 245 | € 1,527 | € 7,63 |
| 250 - 495 | € 1,364 | € 6,82 |
| 500+ | € 1,172 | € 5,86 |
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MOSFET
Type de canal
Type N
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200V
Type de Boitier
TO-252
Série
STripFET
Type de montage
En surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
125mΩ
Mode de canal
Enhancement
Tension directe Vf
1.6V
Charge de porte typique Qg @ Vgs
28nC
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Température minimum d'utilisation
-55°C
Température d'utilisation maximum
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