Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
25A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
TO-252
Série
STripFET H7
Type de support
En surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
35mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
40W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
14nC
Tension directe Vf
1.1V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
2.4mm
Longueur
6.6mm
Normes/homologations
UPC
Standard automobile
No
Détails du produit
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 32,08
€ 1,129 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
25
€ 32,08
€ 1,129 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
25
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 50 - 245 | € 1,129 | € 5,64 |
| 250 - 495 | € 1,008 | € 5,04 |
| 500+ | € 0,865 | € 4,33 |
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MOSFET
Type de canal
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TO-252
Série
STripFET H7
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En surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
40W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
14nC
Tension directe Vf
1.1V
Température d'utilisation maximum
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2.4mm
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