Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
25A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
TO-252
Série
STripFET II
Type de montage
En surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
35mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
100W
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
38nC
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
2.4mm
Longueur
6.6mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 26,10
€ 2,251 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
€ 26,10
€ 2,251 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
10
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 50 - 120 | € 2,251 | € 11,25 |
| 125+ | € 1,766 | € 8,83 |
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
25A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
TO-252
Série
STripFET II
Type de montage
En surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
35mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
100W
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
38nC
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
2.4mm
Longueur
6.6mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit