MOSFET STMicroelectronics canal N, DPAK (TO-252) 25 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
25 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Série
STripFET II
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
35 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
100000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-16 V, +16 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.6mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
6.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
38 nC @ 5 V
Hauteur
2.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 11,76
€ 2,352 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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5
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 2,352 | € 11,76 |
| 10 - 20 | € 1,994 | € 9,97 |
| 25 - 95 | € 1,924 | € 9,62 |
| 100 - 495 | € 1,536 | € 7,68 |
| 500+ | € 1,406 | € 7,03 |
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N
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25 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de conditionnement
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Série
STripFET II
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
35 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
100000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-16 V, +16 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.6mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
6.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
38 nC @ 5 V
Hauteur
2.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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