MOSFET N STMicroelectronics 18 A 200 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 STripFET AEC-Q101

Brand

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

18A

Tension Drain Source maximum Vds

200V

Série

STripFET

Type de Boitier

TO-252

Type de support

Surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

125mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.6V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

28nC

Dissipation de puissance maximum Pd

110W

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Longueur

5m

Hauteur

2.4mm

Standard automobile

AEC-Q101