Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type P
Courant continu de Drain maximum Id
12A
Tension Drain Source maximum Vds
30V
Type de Boitier
TO-252
Série
STripFET
Type de montage
En surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
45mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
40W
Charge de porte typique Qg @ Vgs
12nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
20V
Tension directe Vf
1.1V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
2.4mm
Longueur
6.6mm
Normes/homologations
No, ECOLAB
Largeur
6.2mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 47,30
€ 0,636 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
€ 47,30
€ 0,636 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
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Paquet de production (Bobine)
50
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 100 - 490 | € 0,636 | € 6,36 |
| 500 - 990 | € 0,502 | € 5,02 |
| 1000 - 2490 | € 0,481 | € 4,81 |
| 2500+ | € 0,475 | € 4,75 |
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Série
STripFET
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En surface
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Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
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Charge de porte typique Qg @ Vgs
12nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
20V
Tension directe Vf
1.1V
Température d'utilisation maximum
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