Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type P
Courant continu de Drain maximum Id
12A
Tension Drain Source maximum Vds
30V
Type de Boitier
TO-252
Série
STripFET
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
45mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
12nC
Dissipation de puissance maximum Pd
40W
Tension directe Vf
1.1V
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
5m
Hauteur
2.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Idée. Créer. Collaborer
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 44,39
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
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Série
STripFET
Type de support
Surface
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45mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
12nC
Dissipation de puissance maximum Pd
40W
Tension directe Vf
1.1V
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