MOSFET canal N STMicroelectronics 2.5 A 800 V Enrichissement, 3 broches, IPAK MDmesh, SuperMESH

Brand

Type du produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

2.5A

Tension Drain Source maximum Vds

800V

Type de Boitier

IPAK

Série

MDmesh, SuperMESH

Type de montage

Through Hole

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

4.5Ω

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

70W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

19nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-30, +30V

Tension directe Vf

1.6V

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

6.2mm

Longueur

6.6mm

Normes/homologations

EN131 Professional

Largeur

2.4mm

Standard automobile

No