MOSFET N STMicroelectronics 2.5 A 800 V Enrichissement, 3 broches, IPAK MDmesh, SuperMESH

Brand

Type du produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

2.5A

Tension Drain Source maximum Vds

800V

Série

MDmesh, SuperMESH

Type de Boitier

IPAK

Type de support

Through Hole

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

4.5Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

19nC

Dissipation de puissance maximum Pd

70W

Température minimum de fonctionnemen

-60°C

Tension directe Vf

1.6V

Température d'utilisation maximum

125°C

Longueur

6.6mm

Taille

6.2mm

Normes/homologations

UPC

Standard automobile

No