MOSFET N STMicroelectronics 50 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 STripFET
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
50A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
TO-252
Série
STripFET
Typ montáže
Surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
28mΩ
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
46.5nC
Dissipation de puissance maximum Pd
125W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
1.5V
Maximální provozní teplota
85°C
Longueur
6.6mm
Höhe
2.4mm
Normes/homologations
No
Automobilový standard
No
Détails du produit
Canal N STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 1 386,12
€ 0,554 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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3
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Charge de porte typique Qg @ Vgs
46.5nC
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125W
Température minimum de fonctionnement
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Tension directe Vf
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Longueur
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