MOSFET N STMicroelectronics 50 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 STripFET
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
50A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
TO-252
Séries
STripFET
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
28mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
125W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
46.5nC
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
6.2 mm
Taille
2.4mm
Longueur
6.6mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 9,31
€ 1,862 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Standard
5
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 1,862 | € 9,31 |
| 10 - 95 | € 1,574 | € 7,87 |
| 100 - 495 | € 1,192 | € 5,96 |
| 500 - 995 | € 1,008 | € 5,04 |
| 1000+ | € 0,806 | € 4,03 |
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Type N
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TO-252
Séries
STripFET
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
28mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
125W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
46.5nC
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
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Largeur
6.2 mm
Taille
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