Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
50A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
TO-252
Série
STripFET
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
28mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
46.5nC
Dissipation de puissance maximum Pd
125W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
5m
Hauteur
2.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 15,77
€ 1,577 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
€ 15,77
€ 1,577 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
10
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 10 - 95 | € 1,577 | € 7,89 |
| 100 - 495 | € 1,195 | € 5,97 |
| 500 - 995 | € 1,01 | € 5,05 |
| 1000+ | € 0,807 | € 4,04 |
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MOSFET
Type de canal
Type N
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50A
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100V
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TO-252
Série
STripFET
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
28mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
46.5nC
Dissipation de puissance maximum Pd
125W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
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Température d'utilisation maximum
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Hauteur
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