MOSFET N STMicroelectronics 2.2 A 1 kV Enrichissement, 3 broches, TO-252 MDmesh, SuperMESH AEC-Q101
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
2.2A
Tension Drain Source maximum Vds
1kV
Type de Boitier
TO-252
Séries
MDmesh, SuperMESH
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
6.8Ω
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
90W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
18nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
6.2 mm
Taille
2.4mm
Longueur
6.6mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 700 V à 1 200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 13,29
€ 2,659 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 13,29
€ 2,659 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
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Standard
5
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 2,659 | € 13,29 |
| 10+ | € 2,525 | € 12,62 |
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Séries
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Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
6.8Ω
Mode de canal
Enhancement
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Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
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Tension directe Vf
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Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
6.2 mm
Taille
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Longueur
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No
Standard automobile
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