MOSFET canal N STMicroelectronics 2.2 A 1 kV Enrichissement, 3 broches, TO-252 MDmesh, SuperMESH AEC-Q101

Brand

Type du produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

2.2A

Tension Drain Source maximum Vds

1kV

Série

MDmesh, SuperMESH

Type de Boitier

TO-252

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

6.8Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

-30, +30V

Tension directe Vf

1.6V

Dissipation de puissance maximum Pd

90W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

18nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

6.6mm

Normes/homologations

EN131 Professional

Largeur

6.2mm

Hauteur

2.4mm

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine

China