MOSFET N STMicroelectronics 2.2 A 1 kV Enrichissement, 3 broches, TO-252 MDmesh, SuperMESH AEC-Q101

Brand

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

2.2A

Tension Drain Source maximum Vds

1kV

Type de Boitier

TO-252

Série

MDmesh, SuperMESH

Type de support

Surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

6.8Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

18nC

Dissipation de puissance maximum Pd

90W

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension directe Vf

1.6V

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

5m

Hauteur

2.4mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine

China