MOSFET STMicroelectronics canal N, DPAK (TO-252) 60 A 60 V, 3 broches

N° de stock RS: 687-5071Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STD60NF06T4
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

60 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Type de boîtier

DPAK (TO-252)

Série

STripFET II

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

16 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

110000 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Charge de Grille type @ Vgs

49 nC @ 10 V

Largeur

6.2mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

6.6mm

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Taille

2.4mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics

Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
5 - 5€ 2,025€ 10,13
10 - 95€ 1,737€ 8,68
100 - 495€ 1,291€ 6,46
500 - 995€ 1,093€ 5,47
1000+€ 0,877€ 4,39

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Série

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Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

16 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Tension de seuil minimale de la grille

2V

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110000 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Charge de Grille type @ Vgs

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Largeur

6.2mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

6.6mm

Température d'utilisation maximum

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Taille

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