MOSFET canal N STMicroelectronics 60 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 STripFET II

Brand

Type de canal

N

Type du produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

60A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

TO-252

Série

STripFET II

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

16mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

110W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

49nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20, +20V

Tension directe Vf

1.3V

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

2.4mm

Normes/homologations

EN131 Professional

Largeur

6.2mm

Longueur

6.6mm

Standard automobile

No