Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
60A
Tension Drain Source maximum Vds
60V
Type de Boitier
TO-252
Série
STripFET II
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
16mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
49nC
Tension directe Vf
1.3V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
2.4mm
Longueur
5m
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 22,74
€ 1,334 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
€ 22,74
€ 1,334 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
10
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 50 - 245 | € 1,334 | € 6,67 |
| 250 - 495 | € 0,942 | € 4,71 |
| 500+ | € 0,736 | € 3,68 |
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
60A
Tension Drain Source maximum Vds
60V
Type de Boitier
TO-252
Série
STripFET II
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
16mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
49nC
Tension directe Vf
1.3V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
2.4mm
Longueur
5m
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit