MOSFET canal N STMicroelectronics 80 A 55 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 STripFET F3 AEC-Q101

Brand

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

80A

Tension Drain Source maximum Vds

55V

Série

STripFET F3

Type de Boitier

TO-252

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

8.5mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20, +20V

Tension directe Vf

1.5V

Dissipation de puissance maximum Pd

110W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

33.5nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

6.6mm

Normes/homologations

EN131 Professional

Largeur

6.2mm

Hauteur

2.4mm

Standard automobile

AEC-Q101