MOSFET N STMicroelectronics 80 A 55 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 STripFET F3 AEC-Q101
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
80A
Tension Drain Source maximum Vds
55V
Type de Boitier
TO-252
Série
STripFET F3
Type de montage
Montage en surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
8.5mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Température d'utilisation minimale
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
33.5nC
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
175°C
Taille
2.4mm
Longueur
6.6mm
Normes/homologations
IEC 60664-1
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Canal N STripFET™ F3, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 9,70
€ 1,941 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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3
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Enrichissement
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110W
Température d'utilisation minimale
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
33.5nC
Tension directe Vf
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Température d'utilisation maximum
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Taille
2.4mm
Longueur
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IEC 60664-1
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