Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
80A
Tension Drain Source maximum Vds
55V
Type de Boitier
TO-252
Série
STripFET F3
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
8.5mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
33.5nC
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
2.4mm
Longueur
5m
Normes/homologations
No
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 19,49
€ 1,715 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
€ 19,49
€ 1,715 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
10
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 50 - 245 | € 1,715 | € 8,57 |
| 250 - 495 | € 1,531 | € 7,66 |
| 500+ | € 1,316 | € 6,58 |
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Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
80A
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55V
Type de Boitier
TO-252
Série
STripFET F3
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
8.5mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
33.5nC
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
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