MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-252 4.5 A Enrichissement 650 V, 3 broches

N° de stock RS: 168-6981Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STD6N60M2
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

4.5A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

TO-252

Séries

MDmesh M2

Type de montage

Surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

1.2Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.6V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

8nC

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

60W

Tension maximale de source de la grille Vgs

25 V

Température de fonctionnement maximum

150°C

Normes/homologations

No

Longueur

6.6mm

Hauteur

2.4mm

Largeur

6.2 mm

Standard automobile

No

Pays d'origine

China

Détails du produit

Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics

Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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€ 1 561,15

€ 0,624 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)

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Séries

MDmesh M2

Type de montage

Surface

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1.2Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.6V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

8nC

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

60W

Tension maximale de source de la grille Vgs

25 V

Température de fonctionnement maximum

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No

Longueur

6.6mm

Hauteur

2.4mm

Largeur

6.2 mm

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No

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