Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
4.5A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
TO-252
Série
MDmesh M2
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
1.2Ω
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
60W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
8nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Hauteur
2.4mm
Longueur
5m
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 40,82
€ 1,633 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
25
€ 40,82
€ 1,633 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
25
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 25 - 45 | € 1,633 | € 8,16 |
| 50 - 120 | € 1,471 | € 7,36 |
| 125 - 245 | € 1,324 | € 6,62 |
| 250+ | € 1,254 | € 6,27 |
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Type de canal
Type N
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650V
Type de Boitier
TO-252
Série
MDmesh M2
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
1.2Ω
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
60W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
8nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
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Hauteur
2.4mm
Longueur
5m
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