Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
80A
Tension Drain Source maximum Vds
40V
Type de Boitier
TO-252
Série
DeepGate, STripFET
Type de montage
En surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
6mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
70W
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
36nC
Tension directe Vf
1.3V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
2.4mm
Longueur
6.6mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 12,86
€ 1,286 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 12,86
€ 1,286 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
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Standard
10
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 1,286 | € 12,86 |
| 100 - 490 | € 0,868 | € 8,68 |
| 500 - 990 | € 0,728 | € 7,28 |
| 1000 - 2490 | € 0,72 | € 7,20 |
| 2500+ | € 0,711 | € 7,11 |
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Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
80A
Tension Drain Source maximum Vds
40V
Type de Boitier
TO-252
Série
DeepGate, STripFET
Type de montage
En surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
6mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
70W
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
36nC
Tension directe Vf
1.3V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
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No
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