MOSFET N STMicroelectronics 80 A 40 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 DeepGate, STripFET AEC-Q101
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
80A
Tension Drain Source maximum Vds
40V
Type de Boitier
TO-252
Série
DeepGate, STripFET
Typ montáže
Surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
6mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
70W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
36nC
Tension directe Vf
1.3V
Maximální provozní teplota
85°C
Höhe
2.4mm
Longueur
6.6mm
Normes/homologations
No
Automobilový standard
Non
Détails du produit
STripFET™ DeepGate™ Canal N, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 12,71
€ 1,271 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 12,71
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Standard
10
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 1,271 | € 12,71 |
| 50 - 90 | € 1,207 | € 12,07 |
| 100 - 240 | € 1,097 | € 10,97 |
| 250 - 490 | € 1,068 | € 10,68 |
| 500+ | € 1,042 | € 10,42 |
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Série
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Surface
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3
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Température minimum de fonctionnement
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Charge de porte typique Qg @ Vgs
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Maximální provozní teplota
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Höhe
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Longueur
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