MOSFET canal N STMicroelectronics 55 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 STD AEC-Q101

Brand

Type de canal

N

Type du produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

55A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Série

STD

Type de Boitier

TO-252

Type de montage

Through Hole

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

45mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

30V

Tension directe Vf

1.5V

Dissipation de puissance maximum Pd

70W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

14nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

UL

Largeur

6.2mm

Hauteur

2.4mm

Longueur

6.6mm

Standard automobile

AEC-Q101