Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
55A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Série
STD
Type de Boitier
TO-252
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
45mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
14nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
30V
Tension directe Vf
1.5V
Dissipation de puissance maximum Pd
70W
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
2.4mm
Longueur
6.6mm
Normes/homologations
UL
Largeur
6.2mm
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Le dispositif STMicroelectronics MOSFET est un transistor MOSFET de puissance à canal N développé à l'aide de la technologie STMicroelectronics STripFET H5. Ce dispositif a été optimisé pour obtenir une très faible résistance à l'état passant.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 8,07
€ 1,614 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 8,07
€ 1,614 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
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Standard
5
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,614 | € 8,07 |
| 50 - 245 | € 1,315 | € 6,57 |
| 250 - 495 | € 1,001 | € 5,00 |
| 500+ | € 0,889 | € 4,44 |
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N
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Série
STD
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TO-252
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Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
45mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
14nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
30V
Tension directe Vf
1.5V
Dissipation de puissance maximum Pd
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Hauteur
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Longueur
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UL
Largeur
6.2mm
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