MOSFET canal N STMicroelectronics 55 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 STD AEC-Q101

Brand

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

55A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

TO-252

Série

STD

Type de montage

Through Hole

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

45mΩ

Mode de canal

Enhancement

Dissipation de puissance maximum Pd

70W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

14nC

Tension directe Vf

1.5V

Tension maximale de source de la grille Vgs

30V

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

2.4mm

Longueur

6.6mm

Normes/homologations

UL, ECOLAB

Largeur

6.2mm

Standard automobile

AEC-Q101