MOSFET N STMicroelectronics 55 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 STD AEC-Q101

Brand

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

55A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

TO-252

Série

STD

Type de support

Through Hole

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

45mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

14nC

Dissipation de puissance maximum Pd

70W

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension directe Vf

1.5V

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

5m

Hauteur

2.4mm

Normes/homologations

UL

Standard automobile

AEC-Q101