Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
55A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
TO-252
Série
STD
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
45mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
14nC
Dissipation de puissance maximum Pd
70W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
6.6mm
Hauteur
2.4mm
Normes/homologations
UL
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Le dispositif STMicroelectronics MOSFET est un transistor MOSFET de puissance à canal N développé à l'aide de la technologie STMicroelectronics STripFET H5. Ce dispositif a été optimisé pour obtenir une très faible résistance à l'état passant.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 16,10
€ 1,311 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
€ 16,10
€ 1,311 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
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Paquet de production (Bobine)
10
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 50 - 245 | € 1,311 | € 6,56 |
| 250 - 495 | € 0,998 | € 4,99 |
| 500+ | € 0,886 | € 4,43 |
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Type de canal
Type N
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TO-252
Série
STD
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
45mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
14nC
Dissipation de puissance maximum Pd
70W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
6.6mm
Hauteur
2.4mm
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UL
Standard automobile
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