Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
5.5A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
TO-252
Série
MDmesh M2
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
780mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
60W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
10nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Hauteur
2.4mm
Longueur
5m
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 9,93
€ 0,875 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
€ 9,93
€ 0,875 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
10
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 50 - 245 | € 0,875 | € 4,37 |
| 250 - 495 | € 0,78 | € 3,90 |
| 500+ | € 0,671 | € 3,35 |
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MOSFET
Type de canal
Type N
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650V
Type de Boitier
TO-252
Série
MDmesh M2
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
780mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
60W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
10nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
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Hauteur
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