MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-252 5.5 A Enrichissement 650 V, 3 broches STD9N60M2
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
Type N
Type de produit
MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
5.5A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
TO-252
Séries
MDmesh M2
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
780mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
1.6V
Dissipation de puissance maximum Pd
60W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
10nC
Température de fonctionnement maximum
150°C
Largeur
6.2 mm
Hauteur
2.4mm
Longueur
6.6mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics
Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 4,90
€ 0,981 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
1.6V
Dissipation de puissance maximum Pd
60W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
10nC
Température de fonctionnement maximum
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Largeur
6.2 mm
Hauteur
2.4mm
Longueur
6.6mm
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No
Standard automobile
No
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Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics
Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).
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