MOSFET STMicroelectronics canal N, ISOTOP 53 A 500 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
53 A
Tension Drain Source maximum
500 V
Série
MDmesh, SuperMESH
Type de boîtier
ISOTOP
Type de montage
Montage à visser
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
80 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
460 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
310 nC @ 10 V
Largeur
25.5mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
38.2mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
9.1mm
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 34,74
€ 34,74 Each (hors TVA)
1
€ 34,74
€ 34,74 Each (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
1
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 34,74 |
| 10 - 49 | € 32,06 |
| 50 - 99 | € 30,59 |
| 100 - 199 | € 26,98 |
| 200+ | € 25,18 |
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
53 A
Tension Drain Source maximum
500 V
Série
MDmesh, SuperMESH
Type de boîtier
ISOTOP
Type de montage
Montage à visser
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
80 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
460 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
310 nC @ 10 V
Largeur
25.5mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
38.2mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
9.1mm
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.