MOSFET canal N STMicroelectronics 53 A 500 V Enrichissement, 4 broches, ISOTOP MDmesh, SuperMESH

Brand

Type du produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

53A

Tension Drain Source maximum Vds

500V

Type de Boitier

ISOTOP

Série

MDmesh, SuperMESH

Type de montage

Panel

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

80mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

460W

Température minimum de fonctionnemen

-65°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

310nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-30, +30V

Tension directe Vf

1.6V

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

9.1mm

Longueur

38.2mm

Normes/homologations

EN131 Professional

Largeur

25.5mm

Standard automobile

No