MOSFET N STMicroelectronics 53 A 500 V Enrichissement, 4 broches, ISOTOP MDmesh, SuperMESH
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
Type N
Type du produit
MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
53A
Tension Drain Source maximum Vds
500V
Type de Boitier
ISOTOP
Série
MDmesh, SuperMESH
Type de montage
Panel
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum Rds
80mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
460W
Température de fonctionnement minimum
-65°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
310nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Taille
9.1mm
Longueur
38.2mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 33,28
€ 33,28 Each (hors TVA)
1
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1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 33,28 |
| 10 - 49 | € 30,71 |
| 50 - 99 | € 29,30 |
| 100 - 199 | € 25,84 |
| 200+ | € 24,12 |
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53A
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Type de Boitier
ISOTOP
Série
MDmesh, SuperMESH
Type de montage
Panel
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum Rds
80mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
460W
Température de fonctionnement minimum
-65°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
310nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
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Taille
9.1mm
Longueur
38.2mm
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