MOSFET N STMicroelectronics 53 A 500 V Enrichissement, 4 broches, ISOTOP MDmesh, SuperMESH

Brand

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

53A

Tension Drain Source maximum Vds

500V

Série

MDmesh, SuperMESH

Type de Boitier

ISOTOP

Type de support

Panel

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

80mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.6V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

310nC

Dissipation de puissance maximum Pd

460W

Température minimum de fonctionnement

-65°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

38.2mm

Normes/homologations

No

Hauteur

9.1mm

Standard automobile

No